隨著半導體工業的迅速發展，對晶圓片加工的要求也迅速提高。硅片需去除光刻膠，且需提升硅片材料表面的粘合劑、去除有機污染物等要求，由于其種種原因，目前硅片需去除光刻膠，一般都是采用等離子清洗方式，以解決光刻膠問題。
 

　　為了了解去除光刻膠的原理，首先要弄清楚光刻膠上含有哪些雜質和污染物，然后對這些雜質和污染物進行分類。
 

　　在半導體制造過程中，需要一些有機物污染物和氧化物的存在，而且由于工藝過程總是在凈化室中有人工操作，因此半導體圓片不可避免地受到各種雜質的污染。根據來源、性質等，可大致分為四類：顆粒，有機物，金屬離子和氧化物。
 

　　1.顆粒:
 

　　微粒主要為聚合物、光刻膠和腐蝕雜質等。這種污染物主要依靠VanderWars吸附在圓形表面上，影響器件光刻工藝中幾何形狀和電學參數的形成。去除方法主要是采用物理或化學的方法對顆粒進行切削，逐漸減少與圓表面的接觸面積，后去除。
 

　　2.有機污染物:
 

　　有機體中雜質的來源較多，如皮膚油脂、細菌、機械油、真空脂、光刻膠、清洗溶劑等。這種污染物通常在硅片表面形成一層有機物膜，防止清洗液進入硅片表面，從而使圓片表面不能*清潔，從而使污染物如金屬雜質在清洗后仍然保持完整。通常在清洗過程的第一步就可以除去這些污染物，主要是硫酸和過氧化氫。

 

　　3.金屬:
 

　　在半導體技術中，常見的金屬雜質有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等，其來源主要是：各種器皿、管路、化學試劑，以及半導體圓片加工過程中，在形成金屬連接時，也會產生各種金屬污染。去除此類雜質通常采用化學方法，通過各種清洗劑和化學藥物配制的清洗劑與金屬離子反應，形成脫離圓片表面的金屬離子絡合物。
 

　　1.3氧化物:
 

　　暴露在含氧和水的環境中的半導體圓片表面會形成一層天然氧化層。這種氧化膜不僅阻礙了半導體制造的許多步驟，而且還含有某些金屬雜質，在一定條件下，這些雜質會轉移到圓片上形成電缺陷。這種氧化膜的去除通常是用稀氫氟酸浸泡來完成的。
 

　　等離子體去膠工藝原理及應用。
 

　　(1)脫膠反應機理：
 

　　干法脫膠工藝中，氧是主要的腐蝕性氣體。其高頻微波作用于真空除膠機反響室，使氧離子、游離態氧原子O*、氧分子和電子等多種混合物電離發生，其間帶強氧化才能的游離態氧原子(約10~20%)與光刻膠膜上的O2→O*+O*+O*,CxHy+O*→CO2↑+H2O↑發生混合物。合成的CO2和H2O，反應后，立即被抽出。
 

　　二、除膠操作方法：
 

　　把待去膠片插進空壓機內，平行于氣流方向，推入真空室兩電極間，至1.3Pa抽真空，通入適當的氧氣，堅持反響室壓力在1.3-13Pa之間，加高頻功率，在電極間出現淡紫色輝光，經二極管功率、流速等技術參數后，可得不同的去膠速度，當膠膜去除時，輝光消失。
 

　　干式脫膠機
 

　　(3)脫膠劑的影響因素：
 

　　選頻：隨著頻率的提高，氧氣更容易被電離，從而構成了氧離子。由于頻率過高，電子振幅小于其平均自由程，電子與氣體分子的碰撞幾率反而減小，電離率也隨之減小。經常使用的頻率是13.56MHZ和2.45GHZ。2.45GHZ的微波國內用的很少，13.56MHZ國內用的多
 

　　功耗：對于必定量的氣體，功耗較大，其體內活性粒子密度較大，去膠速度較快;但當功耗增加到一定值時，可消耗的活性離子到達飽滿，功耗再大，則去膠速度無明顯增加。動力強，基溫高，應根據技術要求進行調節。
 

　　真空選擇：適當提高真空度，可以增大電子運動的平均自由程，因此，從電場中獲得的能量較大，有利于電離。其他情況下，氧氣流量必須恒定，真空度越高，氧的相對比重越大，發生的活性粒子的濃度越大。但是如果真空時間過長，活性顆粒的濃度反而會降低。
 

　　氧流效應：氧流較大，活化粒子密度大，脫膠速度加快;但氧流較大，離子合成概率增加，電子平均自由程縮短，電離強度反而下降。當反作用力恒定，流速增加時，所抽出的氣體量也隨之增加，在這期間，未參與反作用力的粒子抽出量也隨之增加，因此，流速增加對脫膠速度的影響并不顯著。